接著繼續(xù)來(lái)說(shuō)說(shuō)開(kāi)關(guān)電源之元器件選擇的，從MOSFET晶體管的損耗等方面來(lái)具體介紹吧。 開(kāi)關(guān)電源之MOSFET晶體管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管有結(jié)型和 MOS型。功率場(chǎng)效應(yīng)管一般是 MOSFET。而MOSFET 還有 P 溝道和 N 溝道。較大功率一般不用 P 溝道，因?yàn)榕c N 溝道相同電流和電壓定額的管子導(dǎo)通電

還有好多的內(nèi)容，本文接著往下看吧，關(guān)于開(kāi)關(guān)電源之元器件的選擇就繼續(xù)來(lái)說(shuō)說(shuō)吧。 開(kāi)關(guān)電源之雙極型二極管反向恢復(fù)特性 快速二極管損耗小，是否越快越好？但是如果是電網(wǎng)整流二極管用超快恢復(fù)二極管不是好主意。問(wèn)題是快恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生快速下降沿，引起開(kāi)關(guān)電源電磁干擾。在這種情況下，最好還是采用普通的恢復(fù)時(shí)間 5~1

接著上面的正式來(lái)怎么選擇開(kāi)關(guān)電源的元器件吧。 開(kāi)關(guān)電源之肖特基二極管的選擇 在輸出低壓低的變換器中肖特基作為輸出整流管是最好的，因?yàn)樗驂航档停譀](méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，正確嗎？雖然它確實(shí)正向壓降低和沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，但肖特基二極管在陰極和陽(yáng)極之間通常有較大的電容。隨加在肖特基上電壓變化對(duì)此電容必然存在

大家知道每一個(gè)開(kāi)關(guān)電源都是有很多電子元器件組成的，每一個(gè)元器件的質(zhì)量和選擇是很重要的，下面的內(nèi)容就是要說(shuō)說(shuō)關(guān)于開(kāi)關(guān)電源之元器件選擇，希望能幫助到大家。 在開(kāi)關(guān)電源中，電壓、電流波形均為突變的脈沖狀態(tài)，元器件所承受電壓或電流除加在元器件上的供電電壓以外，還有電路中電感成分引起的感應(yīng)電壓、電容器的充電

成良電源的小伙伴們提醒大家，每年的8月1日是中國(guó)人民解放軍建軍紀(jì)念日，俗稱“八一”建軍節(jié)。今天是2019年8月1日，是中國(guó)人民解放軍建軍92周年。成良電源全體員工熱烈祝賀中國(guó)解放軍建軍92周年。 成良電源給大家來(lái)再普及一下歷史知識(shí)：1927年8月1日，中國(guó)共產(chǎn)黨帶領(lǐng)北伐軍三萬(wàn)余人，在周恩來(lái) 、賀龍

接著上文來(lái)說(shuō)的，開(kāi)關(guān)電源的測(cè)試要必經(jīng)過(guò)九個(gè)測(cè)試的，前面已經(jīng)說(shuō)了五個(gè)，下面就來(lái)說(shuō)說(shuō)剩下的三個(gè)是怎么 樣的測(cè)試的吧。 6、開(kāi)關(guān)電源之高壓空載，低壓限流態(tài)運(yùn)行試驗(yàn) 測(cè)試說(shuō)明： 高壓空載運(yùn)行是測(cè)試模塊的損耗情況，尤其是帶軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的模塊，在空載情況下，軟開(kāi)關(guān)變?yōu)橛查_(kāi)關(guān)，模塊的損耗相應(yīng)增大。低壓滿載運(yùn)行是測(cè)試

1、開(kāi)關(guān)電源的反復(fù)短路測(cè)試 開(kāi)關(guān)電源的輸入瞬態(tài)高壓測(cè)試說(shuō)明 在各種輸入和輸出狀態(tài)下將模塊輸出短路，模塊應(yīng)能實(shí)現(xiàn)保護(hù)或回縮，反復(fù)多次短路，故障排除后，模塊應(yīng)該能自動(dòng)恢復(fù)正常運(yùn)行。 開(kāi)關(guān)電源的輸入瞬態(tài)高壓測(cè)試方法： a、空載到短路：在輸入電壓全范圍內(nèi)，將模塊從空載到短路，模塊應(yīng)能正常實(shí)現(xiàn)輸出限流或回縮，