接著上面的正式來(lái)怎么選擇開(kāi)關(guān)電源的元器件吧。
開(kāi)關(guān)電源之肖特基二極管的選擇
在輸出低壓低的變換器中肖特基作為輸出整流管是最好的，因?yàn)樗驂航档?，又沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，正確嗎？雖然它確實(shí)正向壓降低和沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，但肖特基二極管在陰極和陽(yáng)極之間通常有較大的電容。隨加在肖特基上電壓變化對(duì)此電容必然存在充電和放電（當(dāng)肖特基幾乎沒(méi)有加電壓時(shí)，電容最大）。

開(kāi)關(guān)電源之普通二極管的反相恢復(fù)電流。
視電路不同，也可能其損耗比用一個(gè)超快恢復(fù)整流管時(shí)損耗大得多。還應(yīng)當(dāng)注意此結(jié)電容，雖然電荷Q低，仍然可能與電路中雜散電感引起振蕩，在某些諧振設(shè)計(jì)中利用此特性做成軟開(kāi)關(guān)。所以與普通二極管一樣有必要給肖特基加一個(gè)緩沖電路，這樣增加了損耗。此外肖特基在高溫和它的額定電壓下有很大的漏電流。
開(kāi)關(guān)電源之漏電流可能將正激變換器次級(jí)短路，這也許就是鍺二極管漏電流太大而不用的原因。因?yàn)檫@個(gè)緣故，為使反向電流不要太大，只能用到肖特基額定電壓的 3/4，溫度不超過(guò) 110℃。高壓肖特基與普通二極管正向壓降相近。你就沒(méi)有必要一定要用這樣的器件。如果今后技術(shù)發(fā)展，高壓肖特基二極管確實(shí)比雙極型二極管正向壓降低，則另當(dāng)別論。

開(kāi)關(guān)電源之二極管
設(shè)計(jì)一個(gè) 12V 輸出，16A電流，能否用兩個(gè)10A 定額的二極管并聯(lián)？由于二極管正向壓降的負(fù)溫度系數(shù)特性和正向壓降的離散性，結(jié)果一個(gè)電流較大的二極管，損耗加大而溫度高，正向壓降降低電流繼續(xù)加大，正反饋，最后導(dǎo)致一個(gè)開(kāi)關(guān)電源之二極管流過(guò)全部電流而燒壞，記住了嗎？所以雖然能將二極管并聯(lián)但應(yīng)當(dāng)注意熱平衡（即確保它們之間最小的熱組）。如果用兩個(gè)分立二極管實(shí)際上這樣做不會(huì)很成功。要是兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源之二極管做在一個(gè)芯片上，具有相同的熱和電氣特性。可以做到較好均衡。MOSFET 壓降具有正溫度特性，使得并聯(lián)容易。

開(kāi)關(guān)電源之二極管反向恢復(fù)
開(kāi)關(guān)電源之肖特基沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，而所有雙極型二極管都有反向恢復(fù)問(wèn)題。它是在二極管正向?qū)娏鱅F關(guān)斷時(shí)刻，由于少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)不能立即消失，還能在短時(shí)間流過(guò)反方向（即由22陰極到陽(yáng)極）電流，這個(gè)時(shí)間叫做反向恢復(fù)時(shí)間。

在時(shí)間內(nèi)反向電流上升到最大值，在變壓器的漏感和引線等寄生電感中存儲(chǔ)能量，此后，二極管開(kāi)始截止，迫使電路中電流減少，存儲(chǔ)在電感中的能量釋放，與相關(guān)電路分布電容形成振蕩，產(chǎn)生嚴(yán)重的振鈴現(xiàn)象，這對(duì)變換器效率、電磁兼容造成極大影響。根據(jù)反向恢復(fù)時(shí)間將二極管的分成不同等級(jí)（普通整流管、快恢復(fù)，超快恢復(fù)等等）。
開(kāi)關(guān)電源之高頻變換器在輸出級(jí)峰值電壓 50V以上總是采用超快恢復(fù)二極管，50V以下采用肖特基二極管。輸出電壓低時(shí)采用同步整流MOSFET。同步整流的MOSFET的體二極管恢復(fù)速度很慢，通常大約為 1μs。它不適宜作為整流管。這就是為什么通常用肖特基與同步整流MOSFET管并聯(lián)：在MOSFET關(guān)斷時(shí)肖特基流過(guò)幾乎全部電流，這意味著體二極管不需要反向恢復(fù)。