開關(guān)電源之Mos開關(guān)原理（簡要）。Mos是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了mos芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱?。?br />
開關(guān)電源之Mos問題遠(yuǎn)沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），所以mos源級和漏級間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。

從mos管在芯片中的作用講起：開關(guān)電源芯片就是利用電子開關(guān)器件如晶體管、MOS管、閘流管等，通過控制電路，使電子開關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開關(guān)器件對輸入電壓進行脈沖調(diào)制，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源芯片，從而實現(xiàn)DC/AC、DC/DC電壓變換，以及輸出電壓可調(diào)和自動穩(wěn)壓。

作為在開關(guān)電源芯片中起穩(wěn)壓作用的mos管，應(yīng)該具備低電荷、低反向傳輸電容以及開關(guān)速度快的特性，才能使電源發(fā)揮最好的性能。人們在開關(guān)電源芯片技術(shù)領(lǐng)域是邊開發(fā)相關(guān)電力電子器件，邊開發(fā)開關(guān)變頻技術(shù)，兩者相互促進推動著開關(guān)電源每年以超過兩位數(shù)字的增長率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發(fā)展。