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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)后EMI的實(shí)際整改策略－－傳導(dǎo)部分及輻射部分（三）
來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2019-04-18 點(diǎn)擊量：1831
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)后EMI的實(shí)際整改策略－－傳導(dǎo)部分及輻射部分（三）
本文繼續(xù)從傳導(dǎo)部分20－30MHZ差模共模混合和輻射部分30－50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起 ，50－100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起這三個(gè)方面來(lái)敘述。
對(duì)于20－30MHZ來(lái)說(shuō)
1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值；
2、開(kāi)關(guān)電源在變壓器外面包銅箔，變壓器最里層加屏蔽層，調(diào)整變壓器的各繞組的排布。改變PCB LAYOUT；
3、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；、在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
4、開(kāi)關(guān)電源在變壓器與MOSFET之間加磁珠；在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。
5、可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻?？赡苁请娮迂?fù)載引起的，可改用電阻負(fù)載。
6、可將MOS管D 端對(duì)地接一個(gè)101的電容?？蓪⑤敵稣鞫O管換一個(gè)積電容小一點(diǎn)的。
7、開(kāi)關(guān)電源可將輸出整流二極管的RC回路去掉。將輸入端加兩個(gè)Y電容對(duì)地，可降低傳導(dǎo)25MHZ－30MHZ干擾。
8、緊貼變壓器的磁芯上加一銅皮，銅皮連接到地。
9、傳導(dǎo)后段25MHZ超標(biāo)可在輸出端加共模電感，也可在開(kāi)關(guān)管源極檢測(cè)電阻上套一長(zhǎng)的導(dǎo)磁力合適的磁珠。
輻射部分
30－50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起
1．開(kāi)關(guān)電源可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻；2．RCD 緩沖電路采用1N4007慢管；3．VCC 供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決；
4．或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；5．在MOSFET的D－S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
6．開(kāi)關(guān)電源在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；7．在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
8．PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；
9．變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50－100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起
1．可以在整流管上串磁珠；2．調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
3．可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/span>
4．也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET； 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。
5．開(kāi)關(guān)電源增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射．
200MHZ 以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI 標(biāo)準(zhǔn)。
最后對(duì)開(kāi)關(guān)電源EMI的對(duì)策處理做一下小結(jié)：
外部構(gòu)造的屏蔽處理；產(chǎn)品外部的電纜線處理；產(chǎn)品內(nèi)部的電纜線處理；PCB布線處理；開(kāi)關(guān)電源的振蕩頻率的選擇；IC型號(hào)的選擇；磁性材料的頻率和帶寬的選擇；變壓器的選型、繞法和設(shè)計(jì)；散熱器的接地方式的處理。
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