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敘開(kāi)關(guān)電源之可控硅整流器應(yīng)用分析--多相整流的保護(hù)作用

來(lái)源：東莞市成良智能科技發(fā)布時(shí)間：2020-10-29 點(diǎn)擊量：752

對(duì)于開(kāi)關(guān)電源之元器件多相整流可以大幅降低高次諧波電流，減少對(duì)電網(wǎng)的污染。不論是三相橋式還是雙反星形電路都可以組成多相整流。大容量機(jī)組可以用多臺(tái)整流機(jī)組，通過(guò)移相相位差及并聯(lián)運(yùn)行來(lái)實(shí)現(xiàn)多相整流。

可控硅本身在選擇時(shí)就已準(zhǔn)備了很大的電流電壓裕量。為了使整流器可靠的工作，還必須加上各種保護(hù)。過(guò)流，限流，過(guò)壓，快熔斷，元件損壞，水壓異常，水溫高，缺相，欠支路，橋臂過(guò)熱，防雷擊，控制電路過(guò)流過(guò)壓失控等。下面就具體說(shuō)說(shuō)開(kāi)關(guān)電源之可控硅整流器應(yīng)用分析有下面幾方面的保護(hù)。

開(kāi)關(guān)電源之可控硅整流器應(yīng)用分析有（1）晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓（換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿(mǎn)元件內(nèi)部，在關(guān)斷過(guò)程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。

開(kāi)關(guān)電源之可控硅整流器應(yīng)用分析有（2）交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)
由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程，會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級(jí)之間存在分布電容，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí)，出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以顯著減小這種過(guò)電壓。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí)，初級(jí)拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。

開(kāi)關(guān)電源之可控硅整流器應(yīng)用分析有（3）直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)
當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí)，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過(guò)電壓，但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。
開(kāi)關(guān)電源之可控硅整流器應(yīng)用分析有（4）過(guò)電流保護(hù)：一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅，而是保護(hù)變壓器線圈。（5）電壓、電流上升率的限制。

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