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問(wèn)：你知道開(kāi)關(guān)電源EMI抑制的9大措施嗎？
來(lái)源：東莞市成良智能科技 發(fā)布時(shí)間：2020-08-13 點(diǎn)擊量：700
答：在開(kāi)關(guān)電源中，電壓和電流的突變，即高dv/dt和di/dt，是其EMI產(chǎn)生的主要原因。實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)技術(shù)措施主要基于以下兩點(diǎn)：
（1）盡量減小電源本身所產(chǎn)生的干擾源，利用抑制干擾的方法或產(chǎn)生干擾較小的元器件和電路，并進(jìn)行合理布局；
（2）通過(guò)接地、濾波、屏蔽 等技術(shù)抑制電源的EMI以及提高電源的EMS。
分開(kāi)來(lái)講，9大措施分別是：
（1）減小dv/dt和di/dt（降 低其峰值、減緩其斜率）
（2）壓敏電阻的合理應(yīng)用，以降低浪涌電壓（3）阻尼網(wǎng)絡(luò)抑制過(guò)沖
（4）采用軟恢復(fù)特性的二極管，以降低高頻段EMI
（5）有源功率因數(shù)校正，以及其他諧波校正技術(shù)
（6）采用合理設(shè)計(jì)的電源線濾波器
（7）合理的接地處理（8）有效的屏蔽措施（9）合理的開(kāi)關(guān)電源之PCB設(shè)計(jì)
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